2.0 A 双 反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 DFN8
低端 栅极驱动器 IC 反相 8-DFN-S(6x5)
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
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Driver 2A 2-OUT Low Side Inv Automotive 8-Pin DFN-S EP Tube
Chip1Stop:
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Newark:
# MICROCHIP MCP14E6-E/MF MOSFET Driver, Low Side, 4.5V-18V supply, 2A and 2.8 ohm output, DFN-8
电源电压DC 4.50V min
上升/下降时间 12ns, 15ns
输出接口数 2
下降时间Max 35 ns
上升时间Max 30 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MCP14E6-E/MF Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
MCP14E7-E/P 微芯 | 完全替代 | MCP14E6-E/MF和MCP14E7-E/P的区别 |
MCP14E8-E/SN 微芯 | 完全替代 | MCP14E6-E/MF和MCP14E8-E/SN的区别 |
MCP14E6-E/SN 微芯 | 完全替代 | MCP14E6-E/MF和MCP14E6-E/SN的区别 |