MCP14A0151T-E/CH概述
半桥 MOSFET 灌:1.5A 拉:1.5A
Half-Bridge Gate Driver IC Inverting SOT-23-6
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半桥 MOSFET 灌:1.5A 拉:1.5A
得捷:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6
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MOSFET DRVR 1.5A 1-OUT Inv 6-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# MICROCHIP MCP14A0151T-E/CH MOSFET Driver, Low Side, 4.5V-18V supply, 1.5A output, SOT-23-6
MCP14A0151T-E/CH中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 4.50V min
上升/下降时间 11.5ns, 10ns
耗散功率 520 mW
连续漏极电流Ids 1.5A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 520 mW
电源电压 4.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
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