M29W160ET70ZA6E

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M29W160ET70ZA6E概述

16Mbit,3V NOR Flash存储器

FLASH - NOR Memory IC 16Mb 2M x 8, 1M x 16 Parallel 70ns 48-TFBGA 6x8


得捷:
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA Tray


安富利:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray


Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA Tray


力源芯城:
16Mbit,3V NOR Flash存储器


Win Source:
IC FLASH 16MBIT 70NS 48TFBGA


M29W160ET70ZA6E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

位数 8, 16

存取时间 70 ns

内存容量 2000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

M29W160ET70ZA6E引脚图与封装图
M29W160ET70ZA6E引脚图
M29W160ET70ZA6E封装图
M29W160ET70ZA6E封装焊盘图
在线购买M29W160ET70ZA6E
型号: M29W160ET70ZA6E
制造商: Micron 镁光
描述:16Mbit,3V NOR Flash存储器
替代型号M29W160ET70ZA6E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

M29W160ET70ZA6E

Micron 镁光

当前型号

当前型号

M29W160ET70ZA6

镁光

完全替代

M29W160ET70ZA6E和M29W160ET70ZA6的区别

M29W160ET7AZA6F

镁光

功能相似

M29W160ET70ZA6E和M29W160ET7AZA6F的区别

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