M29W400DB45N6E

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M29W400DB45N6E概述

MICRON M29W400DB45N6E Flash Memory, 4Mbit, 512K x 8Bit / 256K x 16Bit, Parallel, TSOP, 48Pins

FLASH - NOR Memory IC 4Mb 512K x 8, 256K x 16 Parallel 45ns 48-TSOP


得捷:
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP


艾睿:
NOR Flash Parallel 3.3V 4M-bit 512K x 8/256K x 16 45ns 48-Pin TSOP Tray


Win Source:
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory


M29W400DB45N6E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

存取时间 45 ns

内存容量 500000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFSOP-48

外形尺寸

封装 TFSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

M29W400DB45N6E引脚图与封装图
M29W400DB45N6E引脚图
M29W400DB45N6E封装图
M29W400DB45N6E封装焊盘图
在线购买M29W400DB45N6E
型号: M29W400DB45N6E
制造商: Micron 镁光
描述:MICRON M29W400DB45N6E Flash Memory, 4Mbit, 512K x 8Bit / 256K x 16Bit, Parallel, TSOP, 48Pins

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