MT29F8G08ADBDAH4:D参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT29F8G08ADBDAH4:D概述

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 1G x 8Bit 25ns 63Pin VFBGA

闪存 - NAND 存储器 IC 8Gb（1G x 8）并联 63-VFBGA（9x11）

得捷:
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA

艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 25ns 63-Pin VFBGA

安富利:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 1G x 8bit 25ns 63-Pin VFBGA

Win Source:
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA / FLASH - NAND Memory IC 8Gb 1G x 8 Parallel 63-VFBGA 9x11

MT29F8G08ADBDAH4:D中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.80 V

内存容量 1000000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买MT29F8G08ADBDAH4:D

型号： MT29F8G08ADBDAH4:D

描述：SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 1G x 8Bit 25ns 63Pin VFBGA

替代型号MT29F8G08ADBDAH4:D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT29F8G08ADBDAH4:D Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT29F8G08ABBCAH4:C 镁光	完全替代	MT29F8G08ADBDAH4:D和MT29F8G08ABBCAH4:C的区别
MT29F8G08ABACAH4:C 镁光	类似代替	MT29F8G08ADBDAH4:D和MT29F8G08ABACAH4:C的区别
MT29F8G08ABACAH4-IT:C 镁光	类似代替	MT29F8G08ADBDAH4:D和MT29F8G08ABACAH4-IT:C的区别