MDD4N60RH参数规格_中文资料_数据手册PDF

MDD4N60RH概述

HV MOSFET高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

高电压 HV MOSFET

高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。

### MOSFET ，

欧时:
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD4N60RH, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

MDD4N60RH中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 506pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 67.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MDD4N60RH

型号： MDD4N60RH

制造商： MagnaChip 美格纳

描述：HV MOSFET 高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。 ### MOSFET 晶体管，MagnaChip