MIXA60HU1200VA

MIXA60HU1200VA概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 290000mW Box

IGBT Module PT 2 Independent 1200V 85A 290W Chassis Mount V1A-PAK


得捷:
IGBT MOD 1200V 85A 290W V1A-PAK


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 290000mW V1-A-Pack Box


MIXA60HU1200VA中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 290 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 290000 mW

封装参数

封装 V1-A-Pack

外形尺寸

封装 V1-A-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIXA60HU1200VA
型号: MIXA60HU1200VA
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 290000mW Box

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