MKE11R600DCGFC参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MKE11R600DCGFC概述

MOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A

通孔 N 通道 600 V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC

MKE11R600DCGFC中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 -

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 2000pF @100VVds

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-i4-5

外形尺寸

封装 ISOPLUS-i4-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MKE11R600DCGFC

型号： MKE11R600DCGFC

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A

替代型号MKE11R600DCGFC

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MKE11R600DCGFC

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

FDM15-06KC5

IXYS Semiconductor

类似代替

MKE11R600DCGFC和FDM15-06KC5的区别

IXKC15N60C5

IXYS Semiconductor

功能相似

MKE11R600DCGFC和IXKC15N60C5的区别