MWI50-12A7T

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MWI50-12A7T概述

MW150 系列 1200 V 85 A 六单元 方形 RBSOA IGBT 模块

IGBT 模块 NPT 三相反相器 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 85A 18-Pin E2


富昌:
MW150 系列 1200 V 85 A 六单元 方形 RBSOA IGBT 模块


MWI50-12A7T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 350000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.3nF @25V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 18

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI50-12A7T
型号: MWI50-12A7T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MW150 系列 1200 V 85 A 六单元 方形 RBSOA IGBT 模块

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