MWI75-12T7T

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MWI75-12T7T概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 28Pin Box

IGBT Module Trench Three Phase Inverter 1200V 110A 355W Chassis Mount E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 28-Pin Box


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 28-Pin Box


MWI75-12T7T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 355000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.35nF @25V

额定功率Max 355 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 355000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 28

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI75-12T7T
型号: MWI75-12T7T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 28Pin Box

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