MUBW75-12T8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUBW75-12T8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 24Pin

IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200V 110A 355W Chassis Mount E3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 110A 355W E3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 24-Pin E3

MUBW75-12T8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 355000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.35nF @25V

额定功率Max 355 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 355000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW75-12T8

型号： MUBW75-12T8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 24Pin