MWI50-12A7参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI50-12A7概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 18Pin E2

IGBT 模块 NPT 三相反相器底座安装 E2

得捷:
IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 85A 18-Pin E2

MWI50-12A7中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.3nF @25V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 18

封装 E2

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI50-12A7

型号： MWI50-12A7

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 18Pin E2

替代型号MWI50-12A7