MWI75-06A7T

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MWI75-06A7T概述

MWI75 系列 600 Vce 90 A 50 ns ton IGBT 模块 SixPack

IGBT 模块 NPT 三相反相器 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 600V 90A 280W E2


艾睿:
Use the MWI75-06A7T infineon IGBT module from Ixys Corporation when working with an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 280000 mW. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.


MWI75-06A7T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 280000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.2nF @25V

额定功率Max 280 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 280000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 18

封装 E2

外形尺寸

长度 107.5 mm

宽度 45 mm

高度 17 mm

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI75-06A7T
型号: MWI75-06A7T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MWI75 系列 600 Vce 90 A 50 ns ton IGBT 模块 SixPack

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