MWI35-12A7T

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MWI35-12A7T概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 62A 280000mW 19Pin E2-Pack

IGBT 模块 NPT 三相反相器 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 62A 280W E2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 62A 19-Pin E2-Pack


Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 62A 19-Pin E2-Pack


MWI35-12A7T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 280000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2nF @25V

额定功率Max 280 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 280000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 19

封装 E2-Pack

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E2-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI35-12A7T
型号: MWI35-12A7T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 62A 280000mW 19Pin E2-Pack

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