MWI225-17E9

MWI225-17E9图片1
MWI225-17E9概述

Trans IGBT Module N-CH 1700V 335A 1400000mW 29Pin

IGBT Module NPT Three Phase 1700V 335A 1400W Chassis Mount E+


得捷:
IGBT MODULE 1700V 335A 1400W E+


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 335A 29-Pin


MWI225-17E9中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1400000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 22nF @25V

额定功率Max 1400 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1400000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 29

封装 E+

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E+

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI225-17E9
型号: MWI225-17E9
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1700V 335A 1400000mW 29Pin

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