MWI225-17E9参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI225-17E9概述

Trans IGBT Module N-CH 1700V 335A 1400000mW 29Pin

IGBT Module NPT Three Phase 1700V 335A 1400W Chassis Mount E+

得捷:
IGBT MODULE 1700V 335A 1400W E+

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 335A 29-Pin

MWI225-17E9中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1400000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 22nF @25V

额定功率Max 1400 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1400000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 29

封装 E+

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E+

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI225-17E9

型号： MWI225-17E9

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1700V 335A 1400000mW 29Pin