MOSFET N-CH
IGBT Array Full Bridge 3000V 34A 150W Surface Mount 24-SMPD
得捷: IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 3000V 34A 150000mW SMPD
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 3000 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-24
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
数据手册