MIXA150W1200TEH

MIXA150W1200TEH概述

IGBT MODULE 1200V 150A HEX

IGBT 模块 PT 三相反相器 1200 V 220 A 695 W 底座安装 E3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 220A 695W E3


贸泽:
IGBT Modules Six Pack SPT IGBT


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 220A Box


MIXA150W1200TEH中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 695 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 695 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

封装 E3-Pack

外形尺寸

封装 E3-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIXA150W1200TEH
型号: MIXA150W1200TEH
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT MODULE 1200V 150A HEX

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