MMIX1F180N25T概述
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
立创商城:
N沟道 250V 132A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 132A 21-Pin
MMIX1F180N25T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 570W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 132A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 23800pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 570W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 PowerSMD-24
外形尺寸
长度 25.25 mm
宽度 23.25 mm
高度 5.7 mm
封装 PowerSMD-24
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买MMIX1F180N25T
型号： MMIX1F180N25T
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备