MIEB101H1200EH

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MIEB101H1200EH概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14Pin Case E-3 Box

IGBT 模块 - 全桥反相器 1200 V 183 A 630 W 底座安装 E3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3


贸泽:
IGBT Modules IGBT Module H Bridge


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14-Pin Case E-3 Box


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14-Pin Case E-3 Box


MIEB101H1200EH中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 630 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.43nF @25V

额定功率Max 630 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 630000 mW

封装参数

引脚数 14

封装 E-3

外形尺寸

封装 E-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIEB101H1200EH
型号: MIEB101H1200EH
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14Pin Case E-3 Box
替代型号MIEB101H1200EH
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MIEB101H1200EH

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

MKI100-12E8

IXYS Semiconductor

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