MWI80-12T6K参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI80-12T6K概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 270000mW 24Pin

IGBT 模块沟道三相反相器底座安装 E1

得捷:
IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 80A 24-Pin

MWI80-12T6K中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 270000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.6nF @25V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 24

封装 E1

外形尺寸

封装 E1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI80-12T6K

型号： MWI80-12T6K

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 270000mW 24Pin