MWI30-06A7参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI30-06A7概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 45A 140000mW 18Pin E2

IGBT 模块 NPT 三相反相器 600 V 45 A 140 W 底座安装 E2

得捷:
IGBT MODULE 600V 45A 140W E2

艾睿:
This secure and fast MWI30-06A7 infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect for your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 140000 mW. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.

MWI30-06A7中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 140000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.6nF @25V

额定功率Max 140 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 18

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MWI30-06A7

型号： MWI30-06A7

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 600V 45A 140000mW 18Pin E2

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替代型号MWI30-06A7

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