MDI150-12A4

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MDI150-12A4概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5Pin Y3-DCB

IGBT Module NPT Single 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB


得捷:
IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 180A 5-Pin Y3-DCB


MDI150-12A4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 760000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.6nF @25V

额定功率Max 760 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 760000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 5

封装 Y3-DCB

外形尺寸

封装 Y3-DCB

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MDI150-12A4
型号: MDI150-12A4
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5Pin Y3-DCB

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