MIXA10WB1200TED

MIXA10WB1200TED概述

Igbt Module 1200V 12A Hex

IGBT 模块 PT 三相反相器,带制动器 1200 V 17 A 60 W 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 17A 60W E2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 17A 60000mW 24-Pin Box


MIXA10WB1200TED中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 60 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

引脚数 24

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIXA10WB1200TED
型号: MIXA10WB1200TED
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Igbt Module 1200V 12A Hex

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