MWI100-12A8

MWI100-12A8图片1
MWI100-12A8图片2
MWI100-12A8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin

IGBT 模块 NPT 三相反相器 1200 V 160 A 640 W 底座安装 E3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 160A 19-Pin


MWI100-12A8中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 640000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.5nF @25V

额定功率Max 640 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 640000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 19

封装 E3

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI100-12A8
型号: MWI100-12A8
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin
替代型号MWI100-12A8
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MWI100-12A8

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

CM100TU-24H

Powerex

功能相似

MWI100-12A8和CM100TU-24H的区别

BSM100GD120DN2

西门子

功能相似

MWI100-12A8和BSM100GD120DN2的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台