MWI100-06A8参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MWI100-06A8概述

分立半导体模块 100 Amps 600V

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 600V 130A 410W E3

贸泽:
分立半导体模块 100 Amps 600V

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 130A 19-Pin

MWI100-06A8中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.9 V

耗散功率 410000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 410 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 410000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 19

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI100-06A8

型号： MWI100-06A8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：分立半导体模块 100 Amps 600V

替代型号MWI100-06A8

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MWI100-06A8

IXYS Semiconductor

当前型号

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