MUBW25-06A6K

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MUBW25-06A6K概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 31A 100000mW 25Pin Case E-1

IGBT 模块 NPT 三相反相器,带制动器 底座安装 E1


得捷:
IGBT MODULE 600V 31A 100W E1


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 31A 25-Pin Case E-1


MUBW25-06A6K中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.1nF @25V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 25

封装 E-1

外形尺寸

高度 17.1 mm

封装 E-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW25-06A6K
型号: MUBW25-06A6K
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 31A 100000mW 25Pin Case E-1

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