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MUBW50-06A8图片1

MUBW50-06A8概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 250000mW 24Pin

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 600V 75A 250W E3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 24-Pin

MUBW50-06A8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 2.8nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 24

封装 E3

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW50-06A8

型号： MUBW50-06A8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 250000mW 24Pin

替代型号MUBW50-06A8

型号/品牌

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MUBW50-06A8

IXYS Semiconductor

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