MWI75-12A8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI75-12A8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 500000mW 19Pin

IGBT 模块 NPT 三相反相器底座安装 E3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3

贸泽:
Discrete Semiconductor Modules IGBT MOD 1200V, 75A

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 19-Pin

MWI75-12A8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.5nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 19

封装 E3

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI75-12A8

型号： MWI75-12A8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 500000mW 19Pin