MWI50-12T7T

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MWI50-12T7T概述

MWI 50-12T7T 系列 1200 V 80 A 底座安装 Six-Pack Trench IGBT

IGBT Module Trench Three Phase Inverter 1200V 80A 270W Chassis Mount E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 270000mW 21-Pin


富昌:
MWI 50-12T7T 系列 1200 V 80 A 底座安装 Six-Pack Trench IGBT


Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 80A 21-Pin


MWI50-12T7T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 270000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.5nF @25V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 21

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MWI50-12T7T
型号: MWI50-12T7T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MWI 50-12T7T 系列 1200 V 80 A 底座安装 Six-Pack Trench IGBT

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