MUBW100-06A8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUBW100-06A8概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 125A 410000mW 24Pin

IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 125A 410W Chassis Mount E3

得捷:
IGBT MODULE 600V 125A 410W E3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 125A 410000mW 24-Pin E3

MUBW100-06A8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 410000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 410 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 410000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUBW100-06A8

型号： MUBW100-06A8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 600V 125A 410000mW 24Pin