MUBW50-12A8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUBW50-12A8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 24Pin

IGBT 模块 NPT 三相反相器，带制动器底座安装 E3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 85A 24-Pin

MUBW50-12A8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.3nF @25V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 24

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW50-12A8

型号： MUBW50-12A8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 24Pin

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