Discrete Semiconductor Modules 15A 1200V
IGBT 模块 NPT 三相反相器 1200 V 19 A 90 W 底座安装 E1
得捷: IGBT MODULE 1200V 19A 90W E1
贸泽: Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies .6nF @25V
额定功率Max 90 W
安装方式 Chassis
封装 E1
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册