MIO600-65E11参数规格_中文资料_数据手册PDF

MIO600-65E11概述

Trans IGBT Module N-CH 6.5kV 600A 9Pin Case E-11

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 6500V 600A E11

贸泽:
IGBT Modules 600 Amps 6500V

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 6.5KV 600A 9-Pin Case E-11

MIO600-65E11中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 6500 V

输入电容Cies 150nF @25V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

引脚数 9

封装 E-11

外形尺寸

高度 38 mm

封装 E-11

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIO600-65E11

型号： MIO600-65E11

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 6.5kV 600A 9Pin Case E-11