MIO1200-33E10参数规格_中文资料_数据手册PDF

MIO1200-33E10概述

IGBT 模块 1200 Amps 3300V

IGBT 模块 NPT 单开关 3300 V 1200 A 底座安装 E10

得捷:
IGBT MODULE 3300V 1200A E10

贸泽:
IGBT 模块 1200 Amps 3300V

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 3.3KV 1.2KA 9-Pin Case E-10

MIO1200-33E10中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3300 V

输入电容Cies 187nF @25V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 9

封装 E-10

外形尺寸

高度 28 mm

封装 E-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIO1200-33E10

型号： MIO1200-33E10

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 模块 1200 Amps 3300V