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MUBW6-06A6图片1

MUBW6-06A6概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 7A 38000mW 25Pin

IGBT 模块 NPT 三相反相器，带制动器底座安装 E1

得捷:
IGBT MODULE 600V 7A 38W E1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 7A 25-Pin

MUBW6-06A6中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 38000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies .34nF @25V

额定功率Max 38 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 25

封装 E1

外形尺寸

高度 17.1 mm

封装 E1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW6-06A6

型号： MUBW6-06A6

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 600V 7A 38000mW 25Pin