MUBW20-06A7

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MUBW20-06A7概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24Pin E2-Pack

IGBT 模块 NPT 三相反相器,带制动器 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 600V 35A 125W E2


艾睿:
This secure and fast MUBW20-06A7 infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect for your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 125000 mW. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24-Pin E2-Pack


MUBW20-06A7中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.4 V

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.1nF @25V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E2-Pack

外形尺寸

封装 E2-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW20-06A7
型号: MUBW20-06A7
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24Pin E2-Pack
替代型号MUBW20-06A7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUBW20-06A7

IXYS Semiconductor

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