MUBW15-06A7

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MUBW15-06A7概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 100000mW 24Pin E2-Pack

The infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect to use as an electronic switch eliminating the current at the gate. Its maximum power dissipation is 100000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.


得捷:
IGBT MODULE 600V 25A 100W E2


贸泽:
Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 600V


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 24-Pin E2-Pack


MUBW15-06A7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies .8nF @25V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 24

封装 E2-Pack

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E2-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW15-06A7
型号: MUBW15-06A7
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 100000mW 24Pin E2-Pack

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