MG12150W-XN2MM参数规格_中文资料_数据手册PDF

MG12150W-XN2MM概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 35Pin Bulk

IGBT 模块沟槽型场截止三相反相器底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 200A 625W

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 35-Pin Bulk

儒卓力:
**IGBT 1200V 150A 1.7V W **

MG12150W-XN2MM中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 625000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 10.5nF @25V

额定功率Max 625 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 35

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MG12150W-XN2MM

型号： MG12150W-XN2MM

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 35Pin Bulk