MWI200-06A8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI200-06A8概述

IGBT 模块，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块，IXYS

得捷:
IGBT MODULE 600V 225A 675W E3

欧时:
IXYS MWI200-06A8 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 225 A, Vce=600 V, 21引脚

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 21-Pin

富昌:
600V,200A IGBT NPT, E3-Pack

MWI200-06A8中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 225 A

耗散功率 675000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 9nF @25V

额定功率Max 675 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 675000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 21

封装 E3

外形尺寸

长度 122 mm

宽度 62 mm

高度 17 mm

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI200-06A8

型号： MWI200-06A8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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替代型号MWI200-06A8

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