MUBW50-12T8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUBW50-12T8概述

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 80A 24Pin

IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200V 80A 270W Chassis Mount E3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 80A 270W E3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 270000mW 24-Pin E3

Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 80A 24-Pin

MUBW50-12T8中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.5nF @25V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MUBW50-12T8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 80A 24Pin