MIEB100W1200TEH

MIEB100W1200TEH概述

Igbt Module 1200V 183A Hex

IGBT 模块 - 三相反相器 1200 V 183 A 630 W 底座安装 E3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3


贸泽:
IGBT Modules Six Pack SPT IGBT


MIEB100W1200TEH中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 630 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.43nF @25V

额定功率Max 630 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

封装 E3-Pack

外形尺寸

封装 E3-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIEB100W1200TEH
型号: MIEB100W1200TEH
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Igbt Module 1200V 183A Hex

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台