MIXA225RF1200TSF

MIXA225RF1200TSF概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 360A 1100000mW

IGBT 模块 PT 单路 1200 V 360 A 1100 W 底座安装 模块


得捷:
IGBT MOD 1200V 360A 1100W


贸泽:
IGBT Modules XPT IGBT Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 360A


MIXA225RF1200TSF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.1 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 1100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1100000 mW

封装参数

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MIXA225RF1200TSF
型号: MIXA225RF1200TSF
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 360A 1100000mW

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