RF Power Transistor,1 to 2700MHz, 125W, Typ Gain in dB is 16 @ 2500MHz, 50V, GaN, SOT1822
RF Mosfet HEMT 50V 350mA 2.5GHz 16.6dB 125W OM-270-2
得捷:
TRANS RF N-CH 125W 50V
艾睿:
Trans RF MOSFET 125V 2-Pin OM-270 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 125V 2-Pin OM-270 T/R
RfMW:
RF Power Transistor,1 to 2700 MHz, 125 W, Typ Gain in dB is 16 @ 2500 MHz, 50 V, GaN, SOT1822
频率 2.5 GHz
耗散功率 303000 mW
输出功率 125 W
增益 16.6 dB
测试电流 350 mA
输入电容Ciss 52pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 303000 mW
额定电压 125 V
电源电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 OM-270
封装 OM-270
工作温度 -55℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99