MMRF5015NR5

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MMRF5015NR5概述

RF Power Transistor,1 to 2700MHz, 125W, Typ Gain in dB is 16 @ 2500MHz, 50V, GaN, SOT1822

RF Mosfet HEMT 50V 350mA 2.5GHz 16.6dB 125W OM-270-2


得捷:
TRANS RF N-CH 125W 50V


艾睿:
Trans RF MOSFET 125V 2-Pin OM-270 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 125V 2-Pin OM-270 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1 to 2700 MHz, 125 W, Typ Gain in dB is 16 @ 2500 MHz, 50 V, GaN, SOT1822


MMRF5015NR5中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5 GHz

耗散功率 303000 mW

输出功率 125 W

增益 16.6 dB

测试电流 350 mA

输入电容Ciss 52pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 303000 mW

额定电压 125 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 OM-270

外形尺寸

封装 OM-270

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF5015NR5
型号: MMRF5015NR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1 to 2700MHz, 125W, Typ Gain in dB is 16 @ 2500MHz, 50V, GaN, SOT1822

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