MRF8P18265HR6参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF8P18265HR6概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 65V N-CH 1840MHz

RF Mosfet LDMOS Dual 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230-8

得捷:
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 65V N-CH 1840MHz

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin Case 375I-03 T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin Case 375I-03 T/R

MRF8P18265HR6中文资料参数规格

技术参数

频率 1.88 GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 72 W

增益 16 dB

测试电流 800 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 9

封装 NI-1230-8

外形尺寸

封装 NI-1230-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF8P18265HR6

型号： MRF8P18265HR6

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 65V N-CH 1840MHz

替代型号MRF8P18265HR6