MMRF1320NR1

MMRF1320NR1概述

RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 150W, Typ Gain in dB is 26.3 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

RF Mosfet LDMOS(双) 50 V 100 mA 230MHz 26.1dB 150W TO-270 WB-4


得捷:
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 150 W, Typ Gain in dB is 26.3 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736


MMRF1320NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

耗散功率 952000 mW

输出功率 150 W

增益 26.1 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 96.7pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 952000 mW

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-270-4

外形尺寸

封装 TO-270-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1320NR1
型号: MMRF1320NR1
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 150W, Typ Gain in dB is 26.3 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

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