MRF8P20140WHR3

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MRF8P20140WHR3概述

RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 140W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920MHz, 28V, LDMOS, SOT1827

RF Mosfet LDMOS(双) 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780-4


得捷:
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465M-01 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1880 to 2025 MHz, 140 W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1827


MRF8P20140WHR3中文资料参数规格
技术参数

频率 1.88GHz ~ 1.91GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 24 W

增益 16 dB

测试电流 500 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 NI-780-4

外形尺寸

封装 NI-780-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF8P20140WHR3
型号: MRF8P20140WHR3
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 140W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920MHz, 28V, LDMOS, SOT1827

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