MRF7S19100NBR1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF7S19100NBR1概述

MOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4

RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.5dB 29W TO-272 WB-4

得捷:
FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-272 W T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-272 W T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-272 W T/R

MRF7S19100NBR1中文资料参数规格

技术参数

频率 1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电压DC 28.0 V

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

漏源极电压Vds 65 V

输出功率 29 W

增益 17.5 dB

测试电流 1 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Flange

引脚数 5

封装 TO-272

外形尺寸

封装 TO-272

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF7S19100NBR1

型号： MRF7S19100NBR1

描述：MOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4

替代型号MRF7S19100NBR1