RF Power Transistor,960 to 1500MHz, 250W, Typ Gain in dB is 22.7 @ 1300MHz, 50V, LDMOS, SOT1792
RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780H-2L
得捷:
FET RF 120V 1.3GHZ NI780
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R
RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1500 MHz, 250 W, Typ Gain in dB is 22.7 @ 1300 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792
频率 1.3 GHz
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 476000 mW
输出功率 250 W
增益 22.7 dB
测试电流 100 mA
输入电容Ciss 340pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 476000 mW
额定电压 120 V
电源电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-780
封装 NI-780
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99