MRF6V13250HR5

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MRF6V13250HR5概述

RF Power Transistor,960 to 1500MHz, 250W, Typ Gain in dB is 22.7 @ 1300MHz, 50V, LDMOS, SOT1792

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780H-2L


得捷:
FET RF 120V 1.3GHZ NI780


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1500 MHz, 250 W, Typ Gain in dB is 22.7 @ 1300 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792


MRF6V13250HR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.3 GHz

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 476000 mW

输出功率 250 W

增益 22.7 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 340pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 476000 mW

额定电压 120 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-780

外形尺寸

封装 NI-780

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6V13250HR5
型号: MRF6V13250HR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,960 to 1500MHz, 250W, Typ Gain in dB is 22.7 @ 1300MHz, 50V, LDMOS, SOT1792

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