MRFE6VP5150GNR1

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MRFE6VP5150GNR1概述

晶体管, 射频FET, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB

RF Mosfet LDMOS(双) 230MHz 26.1dB 150W TO-270 WB-4 鸥翼形


得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW


e络盟:
晶体管, 射频FET, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 150 W, Typ Gain in dB is 26.3 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736


Win Source:
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW / RF Mosfet LDMOS Dual 50 V 100 mA 230MHz 26.1dB 150W TO-270 WB-4 Gull


MRFE6VP5150GNR1中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

针脚数 4

耗散功率 952 W

漏源极电压Vds 139 V

输出功率 150 W

增益 26.1 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 96.7pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 952000 mW

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 TO-270

外形尺寸

封装 TO-270

物理参数

重量 1634.8 mg

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRFE6VP5150GNR1
型号: MRFE6VP5150GNR1
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管, 射频FET, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB

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