MRF8S21200HR6参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF8S21200HR6概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS

RF Mosfet LDMOS Dual 28V 1.4A 2.14GHz 18.1dB 48W NI-1230

得捷:
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230 T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230 T/R

MRF8S21200HR6中文资料参数规格

技术参数

频率 2.14 GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 48 W

增益 18.1 dB

测试电流 1.4 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230

外形尺寸

高度 5.08 mm

封装 NI-1230

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF8S21200HR6

型号： MRF8S21200HR6

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS

替代型号MRF8S21200HR6